特許
J-GLOBAL ID：200903039590519439

半導体レーザ素子の製造方法及び半導体レーザ素子

発明者：
福世 文嗣

福世 文嗣 について

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福満 憲志

福満 憲志 について

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神山 信治

神山 信治 について


出願人/特許権者：
浜松ホトニクス株式会社

浜松ホトニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-067217
公開番号（公開出願番号）：特開2003-338652
出願日： 2003年03月12日
公開日（公表日）： 2003年11月28日
要約：
【要約】【課題】 活性層の劈開による共振面を効率良く、且つ精度良く形成することができる半導体レーザ素子の製造方法及び半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 基板1の表面21上にn型クラッド層23、活性層25、及びp型クラッド層27が積層されたウェハ2の基板1の内部に集光点Pを合わせてレーザ光Lを照射することにより多光子吸収による改質領域7を形成し、この改質領域7によって、ストライプ構造の長手方向と直交する方向に延びる切断予定ライン5に沿ってウェハ2のレーザ光入射面6から所定距離内側に切断起点領域を形成し、切断起点領域に沿って基板1を切断するとともに活性層25を劈開させる工程を備えることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基板の表面上に第1導電型半導体層、活性層、及び第2導電型半導体層が積層されたストライプ構造の半導体レーザ素子の製造方法であって、前記基板の表面上に前記第1導電型半導体層、前記活性層、及び前記第2導電型半導体層が積層されたウェハの前記基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより多光子吸収による改質領域を形成し、この改質領域によって、前記ストライプ構造の長手方向と直交する方向に延びる切断予定ラインに沿って前記ウェハのレーザ光入射面から所定距離内側に切断起点領域を形成し、前記切断起点領域に沿って前記基板を切断するとともに前記活性層を劈開させる工程を備える、半導体レーザ素子の製造方法。
IPC (5件)：
H01S 5/02 ,  H01L 21/301 ,  H01S 3/00 ,  B23K 26/00 320 ,  B23K101:40
FI (5件)：
H01S 5/02 ,  H01S 3/00 B ,  B23K 26/00 320 E ,  B23K101:40 ,  H01L 21/78 U
Fターム (17件)：
4E068AE00 ,  4E068DA10 ,  5F072AB02 ,  5F072JJ08 ,  5F072JJ12 ,  5F072JJ20 ,  5F072PP07 ,  5F072QQ20 ,  5F072RR01 ,  5F072YY06 ,  5F073CA05 ,  5F073CB02 ,  5F073DA30 ,  5F073DA32 ,  5F073DA34 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 特公平7-32281号公報
審査官引用 (8件)
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