特許
J-GLOBAL ID:200903039657253773
有価証券並びにチップ搭載物、及びそれらの作製方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-362116
公開番号(公開出願番号):特開2005-252232
出願日: 2004年12月15日
公開日(公表日): 2005年09月15日
要約:
【課題】コスト低減及び耐衝撃性向上を実現し、かつにデザイン性に優れたチップ、及び該チップが搭載された商品等及びそれらの作製方法を提供する。【解決手段】紙幣を含む有価証券、所有物、飲食品等の容器等に厚さが0.2μm以下の半導体膜を有する集積回路、つまり集積回路を備えたチップを搭載することを特徴とする。本発明のチップは、シリコンウェハで作製されたチップと比較して、低コスト、高耐衝撃性を有し、更にデザイン性を損なうことがない。【選択図】図1
請求項(抜粋):
厚さが0.2μm以下の半導体膜を有する集積回路を備えたチップを搭載した
ことを特徴とする有価証券。
IPC (7件):
H01L27/12
, B42D15/10
, G06K19/07
, G06K19/077
, H01L21/20
, H01L21/336
, H01L29/786
FI (10件):
H01L27/12 Z
, H01L27/12 B
, B42D15/10 521
, B42D15/10 531A
, H01L21/20
, G06K19/00 K
, G06K19/00 H
, H01L29/78 627D
, H01L29/78 613Z
, H01L29/78 627G
Fターム (124件):
2C005HA01
, 2C005HA10
, 2C005HA19
, 2C005HB02
, 2C005HB03
, 2C005HB10
, 2C005HB20
, 2C005JA30
, 2C005LB31
, 2C005MA02
, 2C005MA11
, 2C005MA18
, 2C005NA02
, 2C005NA09
, 2C005NA34
, 2C005NA35
, 2C005NA36
, 2C005NB09
, 2C005NB23
, 2C005NB27
, 2C005PA01
, 2C005RA11
, 2C005SA02
, 2C005SA08
, 2C005SA12
, 2C005SA22
, 2C005SA25
, 2C005TA21
, 2C005TA22
, 2C005TA27
, 5B035AA04
, 5B035AA15
, 5B035BA05
, 5B035BA06
, 5B035BB09
, 5B035CA23
, 5F052AA02
, 5F052AA17
, 5F052AA24
, 5F052BB01
, 5F052BB02
, 5F052BB05
, 5F052BB07
, 5F052DA01
, 5F052DA02
, 5F052DA03
, 5F052DB02
, 5F052EA12
, 5F052EA15
, 5F052FA06
, 5F052JA04
, 5F110AA16
, 5F110AA26
, 5F110BB03
, 5F110BB04
, 5F110BB05
, 5F110BB08
, 5F110BB20
, 5F110CC02
, 5F110CC07
, 5F110DD13
, 5F110DD14
, 5F110DD15
, 5F110DD17
, 5F110EE01
, 5F110EE04
, 5F110EE05
, 5F110EE09
, 5F110EE14
, 5F110EE32
, 5F110EE44
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF04
, 5F110FF10
, 5F110FF28
, 5F110FF30
, 5F110GG01
, 5F110GG02
, 5F110GG13
, 5F110GG14
, 5F110GG15
, 5F110GG16
, 5F110GG25
, 5F110GG33
, 5F110GG34
, 5F110GG47
, 5F110HJ01
, 5F110HJ04
, 5F110HJ23
, 5F110HL01
, 5F110HL04
, 5F110HL06
, 5F110HL12
, 5F110HL23
, 5F110HM14
, 5F110NN03
, 5F110NN04
, 5F110NN22
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN25
, 5F110NN27
, 5F110NN33
, 5F110NN35
, 5F110NN36
, 5F110NN71
, 5F110PP01
, 5F110PP02
, 5F110PP03
, 5F110PP05
, 5F110PP06
, 5F110PP10
, 5F110PP13
, 5F110PP24
, 5F110PP29
, 5F110PP34
, 5F110PP35
, 5F110QQ06
, 5F110QQ11
, 5F110QQ16
, 5F110QQ19
, 5F110QQ23
, 5F110QQ28
引用特許:
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (10件)
-
特開昭63-244497
-
半導体記憶装置およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-322674
出願人:日本電気株式会社
-
半導体メモリ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-342086
出願人:川崎製鉄株式会社
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