強誘電性キャパシタの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：八田幹雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-061414
公開番号（公開出願番号）：特開平8-279599
出願日： 1996年03月18日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：

【要約】【課題】 FRAMにメモリセルとして用いられる強誘電性キャパシタの製造方法を提供する。【解決手段】本発明の製造方法は、(a)第1導電性酸化物上に第1強誘電性物質よりなるゾルーゲル溶液を塗布して第1強誘電性膜を形成する段階と、(b)前記第1強誘電性膜をベーキングする段階と、(c)前記第1強誘電性膜をアニリングしてペロブスカイト構造のシードレーヤーを形成する段階と、(d)前記シードレーヤーの表面に第2強誘電性物質よりなるゾルーゲル溶液を塗布して第2強誘電性膜を形成する段階と、(e)前記第2強誘電性膜をベーキングする段階と、(f)前記第2強誘電性膜をアニリングしてペロブスカイト構造を有する強誘電性フィルムを形成する段階とを含む。

請求項（抜粋）：

(a)第1導電性酸化物上に第1強誘電性物質よりなるゾルーゲル溶液を塗布して第1強誘電性膜を形成する段階と、(b)前記第1強誘電性膜をベーキングする段階と、(c)前記第1強誘電性膜をアニリングしてペロブスカイト構造のシードレーヤーを形成する段階と、(d)前記シードレーヤーの表面に第2強誘電性物質よりなるゾルーゲル溶液を塗布して第2強誘電性膜を形成する段階と、(e)前記第2強誘電性膜をベーキングする段階と、(f)前記第2強誘電性膜をアニリングしてペロブスカイト構造を有する強誘電性フィルムを形成する段階とを含むことを特徴とする強誘電性キャパシタの製造方法。

IPC (5件)：

H01L 27/105 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (3件)：

H01L 27/10 441 , H01L 27/04 C , H01L 27/10 651

引用特許：

審査官引用 (5件)

電子デバイスおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-104146 出願人：三菱電機株式会社
特開平3-069512
半導体装置を製造する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-203645 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド

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