特許

J-GLOBAL ID：200903039693726360

直列接続デカップリング・コンデンサのためのバイアス回路

発明者： ラッセル・ジェイ・ホートン ,  クリストファー・ピィ・ミラー
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-121557
公開番号（公開出願番号）：特開2000-353386
出願日： 2000年04月21日
公開日（公表日）： 2000年12月19日
要約：

【要約】【課題】 集積回路のための、改善されたダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)電源を提供すること。【解決手段】 集積回路電源にデカップリング容量を提供する半導体回路が、ノードにおいて直列に接続されるメモリ・セルのアレイから構成されるデカップリング容量を含む。バイアス電圧源がノードにおいて、メモリ・セルのアレイに接続され、ノードにおける電圧レベルを電源の電圧レベルよりも低く維持する。

請求項（抜粋）：

内部半導体電源のためのデカップリング容量を提供する半導体回路であって、直列に接続される複数のメモリ・セル・コンデンサと、選択ノードにおいて前記メモリ・セル・コンデンサに接続され、前記ノードにおける電圧レベルを、内部半導体電源の電圧レベルよりも低く維持するバイアス電圧源とを含む、半導体回路。

IPC (3件)：

G11C 11/407 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3件)：

G11C 11/34 354 F ,  H01L 27/04 H ,  H01L 27/04 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-162068   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-296909   出願人：シャープ株式会社
• 中間電圧発生回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-275802   出願人：三菱電機株式会社