特許
J-GLOBAL ID：200903039742548537
トンネル磁気抵抗素子
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (3件)：
杉村 興作
, 藤谷 史朗
, 来間 清志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-128492
公開番号（公開出願番号）：特開2007-300025
出願日： 2006年05月02日
公開日（公表日）： 2007年11月15日
要約：
【課題】装置依存性なく200%を超えるTMR比を得ることができるTMR素子を提供する。【解決手段】ハーフメタル層1,2をCo2MnSiによって構成し、アモルファス構造の絶縁層を用いる。このように製造装置に応じてTMR素子の歩留まりが変動しないアモルファス構造の絶縁層を用いることによって、装置依存性のないTMR素子を製造することができる。また、アモルファス構造の絶縁層3を、Co2MnSiによって構成したハーフメタル層1,2によって挟むことによって、電流が流れる際のトンネル障壁の中での電子の散乱の影響がなくなり、570%を超える高いTMR比を得ることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
Co2MnSiによって構成された第1のハーフメタル層と、
Co2MnSiによって構成された第2のハーフメタル層と、
これら第1及び第2のハーフメタル層間に介在するアモルファス構造の絶縁層とを具えることを特徴とするトンネル磁気抵抗素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (16件)：
5E049AA04
, 5E049BA16
, 5E049CB02
, 5E049DB14
, 5F092AA02
, 5F092AC12
, 5F092AD03
, 5F092BB17
, 5F092BB24
, 5F092BB34
, 5F092BB35
, 5F092BB37
, 5F092BB44
, 5F092BB55
, 5F092BC03
, 5F092BE06
