特許
J-GLOBAL ID：200903040460590318

トンネル磁気抵抗効果素子及びその製造方法、並びに磁気メモリ装置

発明者：
大場 和博

大場 和博 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 佐藤 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-069636
公開番号（公開出願番号）：特開2003-273420
出願日： 2002年03月14日
公開日（公表日）： 2003年09月26日
要約：
【要約】【課題】 半導体回路作製プロセス等の熱処理による抵抗変化率の劣化の抑制を可能とする。【解決手段】 一対の強磁性層5,7の間にトンネルバリア層6を挟んだ強磁性トンネル接合9を有し、上記強磁性層5,7のうち少なくとも一方は、強磁性を示す金属間化合物を含有する。上記金属間化合物は、化学式WiXj、WiXjYk、又はWiXjYkZl(式中W、X、Y及びZは、Fe、Co、Ni、Cr及びMnからなる第1の群、並びに半金属元素及び3B族から6B族の元素群からなる第2の群から選ばれる元素である。また、式中W、Xのうち一方は第1の群から選ばれ、他方は第2の群から選ばれる。また、式中i、j、k及びlは、整数値又は整数に近い値の簡単な比である。)で表される。
請求項（抜粋）：
一対の強磁性層の間にトンネルバリア層を挟んだ強磁性トンネル接合を有するトンネル磁気抵抗効果素子であって、上記強磁性層のうち少なくとも一方は、強磁性を示す金属間化合物を含有することを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。
IPC (7件)：
H01L 43/08 ,  G11C 11/15 112 ,  H01F 10/18 ,  H01F 10/32 ,  H01F 41/22 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/12
FI (7件)：
H01L 43/08 Z ,  G11C 11/15 112 ,  H01F 10/18 ,  H01F 10/32 ,  H01F 41/22 ,  H01L 43/12 ,  H01L 27/10 447
Fターム (13件)：
5E049BA06 ,  5E049EB06 ,  5E049JC01 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA27 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083PR33
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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