半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-177506
公開番号（公開出願番号）：特開2004-022902
出願日： 2002年06月18日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：

【課題】リーク電流の低減を可能とし、さらに薄膜化が可能な絶縁膜を備えた半導体装置を提供する。【解決手段】基板上に、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜を形成した後、20°Cから600°Cの温度範囲で加熱して、シリコン窒化膜のプラズマ窒化処理を行う。さらに非酸化性ガス雰囲気中で熱処理を行う。これらの処理により、このような積層からなるゲート絶縁膜のゲートリーク電流を極めて低減でき、酸化膜換算膜厚を大きく低減することができる。【選択図】図9

請求項（抜粋）：

シリコン基板上にシリコンと酸素を含む絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上にシリコン窒化膜を堆積する工程と、プラズマ窒化処理により前記シリコン窒化膜を改質する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L29/78 , H01L21/318 , H01L21/8238 , H01L27/092

FI (3件)：

H01L29/78 301G , H01L21/318 M , H01L27/08 321D

Fターム (55件)：

5F048AA01 , 5F048AA07 , 5F048AB01 , 5F048AC03 , 5F048BB05 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BC06 , 5F048BD04 , 5F048BE03 , 5F048DA25 , 5F058BA20 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BD10 , 5F058BF04 , 5F058BF23 , 5F058BF30 , 5F058BF37 , 5F058BH16 , 5F058BJ01 , 5F058BJ10 , 5F140AA24 , 5F140AA39 , 5F140AB03 , 5F140BA01 , 5F140BC06 , 5F140BD01 , 5F140BD02 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BD10 , 5F140BE02 , 5F140BE05 , 5F140BE07 , 5F140BE08 , 5F140BE10 , 5F140BE13 , 5F140BE16 , 5F140BE17 , 5F140BE19 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG28 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BH15 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140CB01 , 5F140CB04 , 5F140CB08

引用特許：

審査官引用 (4件)

シリコンゲートFETの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-325579 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
インシチュ誘電体スタックの製造方法及びそのプロセス
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-388529 出願人：エーエスエムアメリカインコーポレイテッド
半導体トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-096451 出願人：株式会社東芝

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