特許
J-GLOBAL ID：200903039759716018
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-333533
公開番号（公開出願番号）：特開2008-182219
出願日： 2007年12月26日
公開日（公表日）： 2008年08月07日
要約：
【課題】出力電圧もしくは出力電流の範囲を広げることなく、検出可能な照度範囲が広い光電変換装置を得ること、光センサの特性ばらつきによる出力ばらつきが小さい光電変換装置を得ること、消費電力が小さい光電変換装置を得ること、歩留まりが高く、製造コストが小さい光電変換装置を得ることを課題とする。【解決手段】照度に対応する電流信号を出力する光センサと、光センサから出力された電流信号を電圧信号に変換する電流電圧変換回路を有する光検出回路と、光検出回路から出力された電圧信号を増幅する増幅器と、増幅器から出力された電圧と基準の電圧を比較し、制御回路に結果を出力する比較回路と、比較回路からの出力によって、検出する照度範囲を決定し、制御信号を光検出回路へ出力する制御回路とを有し、電流電圧変換回路は、制御信号に従って抵抗値を変える半導体装置を有する。【選択図】図29
請求項（抜粋）：
照度に対応する電流信号を出力する光センサと、前記光センサから出力された電流信号を電圧信号に変換する電流電圧変換回路とを有する光検出回路と、
前記光検出回路から出力された電圧信号を増幅する増幅器と、
前記増幅器から出力された電圧と、基準の電圧を比較し、制御回路に結果を出力する比較回路と、
前記比較回路からの出力によって、検出する照度範囲を決定し、制御信号を前記光検出回路へ出力する前記制御回路と、
を有し、
前記電流電圧変換回路は、前記制御信号に従って抵抗値を変えることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (18件)：
5F049MA04
, 5F049MA11
, 5F049MB05
, 5F049NA04
, 5F049NA18
, 5F049NB07
, 5F049PA05
, 5F049PA11
, 5F049PA12
, 5F049PA14
, 5F049PA15
, 5F049QA02
, 5F049QA09
, 5F049UA05
, 5F049UA12
, 5F049UA13
, 5F049UA17
, 5F049UA20
