特許

J-GLOBAL ID：200903039766663400

磁気抵抗効果素子および磁気メモリ装置

発明者： 別所 和宏 ,  細見 政功 ,  水口 徹也 ,  大場 和博 ,  肥後 豊 ,  山元 哲也 ,  遠藤 敬太郎 ,  窪 真也 ,  曽根 威之 ,  成沢 浩亮 ,  鹿野 博司
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-248002
公開番号（公開出願番号）：特開2004-087870
出願日： 2002年08月28日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：

【課題】各記憶素子間の反転磁界のばらつきおよびアステロイドのずれを抑制し、これにより各記憶素子への選択記録のマージンを大きく確保する。【解決手段】少なくとも二つの強磁性層24,26とこれらの間に挟まれる絶縁層25とを含む積層構造を具備し、一方の強磁性層26が磁化方向の反転可能な自由層として機能し、他方の強磁性層24が磁化方向の反転しない固定層として機能する磁気抵抗効果素子において、前記固定層26が前記自由層24に静磁界を印加するための磁界印加部材としての機能を有しており、前記静磁界を印加すべく前記固定層26からの漏洩磁界の強さが所定値以上となるように設定されている。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

少なくとも二つの強磁性層とこれらの間に挟まれる絶縁層とを含む積層構造を具備し、一方の強磁性層が磁化方向の反転可能な自由層として機能し、他方の強磁性層が磁化方向の反転しない固定層として機能する磁気抵抗効果素子において、 前記自由層に静磁界を印加するための磁界印加部材を備えている ことを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (5件)：

H01L43/08 ,  G11C11/15 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L27/105

FI (5件)：

H01L43/08 Z ,  G11C11/15 110 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L27/10 447

Fターム (6件)：

5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049BA06 ,  5F083FZ10 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 磁気メモリ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-248297   出願人：三洋電機株式会社
• 二重磁気状態を有する磁気エレメントおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-383163   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
• 磁性多層膜作製装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-365696   出願人：アネルバ株式会社