特許

J-GLOBAL ID：200903039768507235

窒化ガリウム系化合物半導体基板、及びその製造方法

発明者： 川野 憲二
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-203956
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017420
出願日： 2001年07月04日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：

【要約】【課題】基板への窒化ガリウム系化合物半導体層の成長において、横方向成長等のデバイス工程を無くし、さらに低欠陥領域を均一に有する窒化ガリウム系化合物半導体基板を提供する。【解決手段】窒化ガリウム系化合物半導体基板の成長方法であって、Siドーピング濃度が1×1019/cm3以上である第1の窒化ガリウム系化合物半導体層と、該第1の窒化ガリウム系化合物半導体層上に積層されたノンドープ、又はSiドーピング濃度が1×1019/cm3以下である第2の窒化ガリウム系化合物半導体層とを備える。

請求項（抜粋）：

Siドーピング濃度が1×1019/cm3以上である第1の窒化ガリウム系化合物半導体層と、該第1の窒化ガリウム系化合物半導体層上に積層されたノンドープ、又はSiドーピング濃度が1×1019/cm3以下であり、貫通転位密度が1×108/cm2以下である第2の窒化ガリウム系化合物半導体層と、を備えることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体基板。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01S 5/323 610

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  H01S 5/323 610

Fターム (34件)：

5F045AA02 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC03 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045DA59 ,  5F045DB01 ,  5F045DQ08 ,  5F045EB13 ,  5F045GH09 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073CB19 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA16 ,  5F073DA25 ,  5F073DA32 ,  5F073DA35 ,  5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 3-5族化合物半導体とその製造方法および発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-015228   出願人：住友化学工業株式会社
• 低転位バッファーおよびその製造方法ならびに低転位バッファーを備えた素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-368566   出願人：理化学研究所, 学校法人早稲田大学

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 高濃度Si含有AlGaN超格子を用いた低転位バッファーの作製