電子部品の製造方法、及び電子部品

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：國弘安俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-385164
公開番号（公開出願番号）：特開2003-183843
出願日： 2001年12月18日
公開日（公表日）： 2003年07月03日
要約：

【要約】【課題】安価にして所望箇所にのみ所望のめっき皮膜を形成することのできるようにした。【解決手段】ホスフィン酸ナトリウム(NaH2PO2)を還元剤として添加されたNi塩を含むめっき浴中で、被めっき物と前記還元剤の酸化反応に対し触媒活性を示す平均径1mmのNi片とを混合し、自己触媒型の無電解めっきを施してCu、Ag、又はAg-Pdで形成された電極2上にNi-P皮膜3を形成し、次いで、該被めっき物をAu塩を含むめっき浴中に浸漬して置換型の無電解めっきを施し、Ni-P皮膜3の表面にAu皮膜を形成する。

請求項（抜粋）：

表面に電極が形成された被めっき物に対し、還元剤の添加されためっき浴を使用して無電解めっきを施し、電子部品を製造する電子部品の製造方法において、前記還元剤の酸化還元電位よりも電気化学的に貴な析出電位を有する金属イオンを含有するめっき浴中で、前記還元剤の酸化反応に対し触媒活性を示す導電性媒体と前記被めっき物とを混合し、前記無電解めっきを施して前記電極上にめっき皮膜を形成することを特徴とする電子部品の製造方法。

IPC (7件)：

C23C 18/34 , C23C 18/16 , C23C 18/31 , C23C 18/44 , H01G 4/232 , H01G 4/30 301 , H01G 4/30 311

FI (7件)：

C23C 18/34 , C23C 18/16 B , C23C 18/31 A , C23C 18/44 , H01G 4/30 301 B , H01G 4/30 311 E , H01G 1/147 Z

Fターム (25件)：

4K022AA04 , 4K022AA05 , 4K022BA03 , 4K022BA06 , 4K022BA14 , 4K022BA16 , 4K022BA18 , 4K022BA31 , 4K022BA32 , 4K022CA07 , 4K022DA03 , 4K022DA04 , 4K022DB02 , 4K022DB03 , 5E082AA01 , 5E082AB03 , 5E082BB01 , 5E082BB07 , 5E082BC38 , 5E082EE04 , 5E082GG10 , 5E082GG28 , 5E082LL02 , 5E082MM22 , 5E082MM23

引用特許：

審査官引用 (8件)

配線基板及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-289776 出願人：株式会社日立製作所
接触鍍金法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-350380 出願人：ホシザキ電機株式会社
特開昭50-147437

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