特許
J-GLOBAL ID：200903039789692776
デュアルゲート構造およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-331408
公開番号（公開出願番号）：特開平9-172092
出願日： 1995年12月20日
公開日（公表日）： 1997年06月30日
要約：
【要約】【課題】 デュアルゲート構造では、ゲート電極の多結晶シリコンの結晶粒界にホウ素が析出して空乏化が起こり、また導電型が異なるゲート電極間で相互拡散を起こして、トランジスタ特性を劣化させている。【解決手段】 デュアルゲート構造の同一配線で形成される各ゲート電極1を形成するシリコン結晶Siの結晶粒界Bに窒素原子Nおよび酸素原子のうちの少なくとも一方を含ませる。その製造方法は、ゲート電極になる多結晶シリコン膜(または非晶質シリコン膜)を成膜する工程と、多結晶シリコン膜にエキシマレーザ光を照射して、大粒径(0.3μmよりも大)なシリコン結晶に成長させた多結晶シリコン膜を形成する工程と、多結晶シリコン膜をパターニングして各ゲート電極を形成する工程とを備えている。上記エキシマレーザ光の照射は窒素雰囲気中または窒素を主成分とする雰囲気中で行う。
請求項（抜粋）：
二つのゲートの各ゲート電極を一つの配線で形成したデュアルゲート構造において、前記各ゲート電極を形成する多結晶シリコン膜の結晶粒界に窒素原子および酸素原子のうちの少なくとも一方を含むことを特徴とするデュアルゲート構造。
IPC (6件)：
H01L 21/8238
, H01L 27/092
, H01L 21/268
, H01L 21/3205
, H01L 29/43
, H01L 29/78
H01L 27/08 321 D
, H01L 21/268 Z
, H01L 21/88 P
, H01L 29/46 A
, H01L 29/78 301 G
