特許
J-GLOBAL ID：200903039807096078
不揮発性半導体記憶装置及びそのデータ消去方法。
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
特許業務法人高橋・林アンドパートナーズ
, 堀口 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-354943
公開番号（公開出願番号）：特開2006-164408
出願日： 2004年12月08日
公開日（公表日）： 2006年06月22日
要約：
【課題】 不揮発性半導体記憶装置の高速化を実現すること。【解決手段】 本発明の不揮発性半導体記憶装置は、電気的に書き換え可能なメモリセルが配列された複数のメモリブロックでなるメモリセルアレイを有する不揮発性半導体記憶装置であって、前記複数のメモリブロックのうちの選択したメモリブロックにおける全ての前記メモリセルのデータを消去する前に、前記選択したメモリブロックにおける全ての前記メモリセルのしきい値を正とするプリプログラムを行うことを特徴としている。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
電気的に書き換え可能なメモリセルが配列された複数のメモリブロックでなるメモリセルアレイを有する不揮発性半導体記憶装置であって、
前記複数のメモリブロックのうちの選択したメモリブロックにおける全ての前記メモリセルのデータを消去する前に、前記選択したメモリブロックにおける全ての前記メモリセルのしきい値を正とすることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (4件)：
G11C17/00 612C
, G11C17/00 612B
, G11C17/00 622E
, G11C17/00 601P
5B125BA01
, 5B125CA14
, 5B125DC08
, 5B125DC09
, 5B125DD09
, 5B125EA05
, 5B125EB03
, 5B125FA01
