特許
J-GLOBAL ID：200903039812101799
ウェハバーンイン装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-040598
公開番号（公開出願番号）：特開平11-238769
出願日： 1998年02月23日
公開日（公表日）： 1999年08月31日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウェハに対する温度制御が正確になると共に、少ない時間及び少ないエネルギーで半導体ウェハに対する温度制御ができるようにする。【解決手段】 ウェハバーンイン装置を構成するウェハバーンインユニット3は、複数の半導体集積回路が形成された半導体ウェハが保持されるウェハトレイ11と、半導体ウェハの複数の半導体集積回路の各外部電極と対向する位置にプローブ端子を有するプローブカード14とが一体化されてなるウェハカセット4を収納するウェハカセット収納部を備えている。ウェハカセット収納部の内部には、ウェハトレイ11の下側において半導体ウェハの温度を制御する下側温度制御手段37が設けられていると共に、ウェハトレイ11の上側において半導体ウェハの温度を制御する上側温度制御手段40が設けられている。
請求項（抜粋）：
複数の半導体集積回路が形成された半導体ウェハが保持されるウェハトレイと、該ウェハトレイに保持される半導体ウェハと対向するように配置され複数の半導体集積回路の各外部電極と対向する位置にプローブ端子を有するプローブカードとが一体化されてなるウェハカセットを収納するウェハカセット収納部と、前記ウェハカセット収納部に収納されたウェハカセットの上側に設けられ、前記ウェハトレイに保持される半導体ウェハの温度を制御する上側温度制御手段と、前記ウェハカセット収納部に収納されたウェハカセットの下側に設けられ、前記ウェハトレイに保持される半導体ウェハの温度を制御する下側温度制御手段とを備えていることを特徴とするウェハバーンイン装置。
引用特許：
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