特許
J-GLOBAL ID：200903039835168327
パワーモジュール
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
高橋 省吾
, 稲葉 忠彦
, 村上 加奈子
, 中鶴 一隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-204463
公開番号（公開出願番号）：特開2007-027261
出願日： 2005年07月13日
公開日（公表日）： 2007年02月01日
要約：
【課題】 放熱性に優れ、応力によるクラックや剥離が防止された、トランスファーモールド型のパワーモジュールを得る。【解決手段】 複数の配線セラミック基板1にそれぞれ各1個のパワー半導体素子2が搭載されたトランスファーモールド型のパワーモジュールであり、上記配線セラミック基板1はセラミック基板1aに配線層1bが形成されたものからなり、接合部材3aが上記配線セラミック基板1のセラミック基板1aに、接合部材3bが配線層1bに接合され、接合部材3cが配線層1bに接合されるとともに別の配線セラミック基板1に架設されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
セラミック基板に配線層が形成されてなる複数の配線セラミック基板と、少なくとも一つの上記配線層に搭載されたパワー半導体素子と、上記複数の配線セラミック基板および上記パワー半導体素子をモールドする封止樹脂と、上記複数の配線セラミック基板に接合された接合部材とを備えたことを特徴とするパワーモジュール。
IPC (2件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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