特許
J-GLOBAL ID:200903039836515063
基板処理装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
宮本 治彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-005441
公開番号(公開出願番号):特開2004-221227
出願日: 2003年01月14日
公開日(公表日): 2004年08月05日
要約:
【課題】高品質の基板処理が行え、基板処理の基板面内均一性が高く、しかも、一度に多くの枚数の基板を処理できる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板を収容して処理する処理室と、処理室内で複数の基板を所定の間隔で多層に保持するボート等の基板保持手段とを備える基板処理装置において、基板保持手段にてウエハ等の基板を保持する間隔は、基板保持手段の中央部分に保持されるプロダクトウエハ等の製品用基板間の間隔よりも、基板保持手段の両端部分に配置されるダミーウエハ等の非製品用基板間の間隔が狭いものする。【選択図】 図5
請求項(抜粋):
基板を収容して処理する空間を形成する処理室と、
前記処理室内で複数の基板を所定の間隔で多層に保持する基板保持手段と、
を有する基板処理装置であって、
前記基板保持手段にて基板を保持する間隔は、前記基板保持手段の中央部分の間隔よりも、前記基板保持手段の両端部分の間隔が狭いことを特徴とする基板処理装置。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (14件):
5F031CA02
, 5F031HA09
, 5F031HA42
, 5F031HA64
, 5F031MA28
, 5F031PA30
, 5F045AA06
, 5F045AF19
, 5F045BB02
, 5F045BB08
, 5F045BB14
, 5F045DP19
, 5F045DQ05
, 5F045EM08
引用特許:
審査官引用 (4件)
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特開昭62-158322
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半導体ウエーハボート
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-137358
出願人:東芝セラミックス株式会社
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半導体製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-031050
出願人:株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
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化学的気相成長成膜装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-319594
出願人:ソニー株式会社
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