特許

J-GLOBAL ID：200903039865839480

半導体装置の製造方法及びその半導体装置

発明者： 鵜飼 茂和 ,  佐々木 勝人 ,  庄子 礼二郎 ,  藤木 悌之 ,  西田 衛
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
代理人 (4件)： 坂口 博 ,  市位 嘉宏 ,  上野 剛史 ,  上羽 秀敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-214058
公開番号（公開出願番号）：特開2004-055986
出願日： 2002年07月23日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：

【課題】アニール時に生じるAlの突き出しを防止することの可能な半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。【解決手段】誘電体反射防止膜5の上面、Al配線6の側面、絶縁層1の露出面等の全体にわたって、Ti/TiN膜13を形成する。続いて、水素アニールを行い、Al層3のAlと、Ti層、Ti/TiN層4及びTi/TiN膜13のTiとを合金化させ、Al配線6の周囲にTiAl3からなる被覆膜14を形成する。アニールにより発生した誘電体反射防止膜5の応力はAl配線6の上部に作用し、Al配線6上の被覆膜14に沿ってAlの粒成長を助長しようとするが、Al配線6の側壁に形成された被覆膜14の反作用により打ち消される。その結果、Alの粒成長は助長されず、Alの突き出しが抑えられる。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された絶縁層上にAl配線を形成する工程と、 前記Al配線の周囲にTi及びAlの合金からなる被覆膜を形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L21/3205

FI (2件)：

H01L21/88 N ,  H01L21/88 A

Fターム (28件)：

5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH10 ,  5F033HH18 ,  5F033HH33 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033MM10 ,  5F033MM11 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033MM14 ,  5F033MM15 ,  5F033MM17 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ04 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ69 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ91 ,  5F033RR04 ,  5F033XX09 ,  5F033XX15 ,  5F033XX20 ,  5F033XX30 ,  5F033XX31

引用特許：

審査官引用 (3件)

• アルミニウム配線の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-272566   出願人：富士通株式会社
• 深いサブ-ハーフミクロンIC応用のための新規なメタライゼーションパッシベーション技術
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平9-520459   出願人：アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-367940   出願人：ソニー株式会社