特許
J-GLOBAL ID：200903039881052031

半導体基板の埋設分離領域を形成する方法及び埋設分離領域をもつ半導体デバイス

発明者：
トシハル・フルカワ

トシハル・フルカワ について

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マーク・シー・ヘイキー

マーク・シー・ヘイキー について

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スティーブン・ジェイ・ホームズ

スティーブン・ジェイ・ホームズ について

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デビッド・ブイ・ホラック

デビッド・ブイ・ホラック について

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チャールズ・ダブリュー・コバーガー・サード

チャールズ・ダブリュー・コバーガー・サード について


出願人/特許権者：
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション について


代理人 (4件)： 坂口 博 ,  市位 嘉宏 ,  上野 剛史 ,  太佐 種一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-018863
公開番号（公開出願番号）：特開2006-210927
出願日： 2006年01月27日
公開日（公表日）： 2006年08月10日
要約：
【課題】 半導体基板の埋設分離領域を形成する改善された方法と、埋設分離領域を有する半導体デバイスを形成し、なおかつデバイスの冷却及び本体電位制御を与える方法を提供する。【解決手段】 半導体構造を形成する半導体構造及び方法である。半導体構造は、ナノ構造を含むか、又はナノ構造を用いて製造される。半導体構造を形成する方法は、ナノマスクを用いてナノ構造を生じさせ、生じさせられたナノ構造を用いて付加的な半導体加工ステップを行うことを含む。【選択図】 図8
請求項（抜粋）：
半導体構造を形成する方法であって、 (a)単結晶シリコン基板を用意するステップと、 (b)前記基板の上面にハードマスク層を形成するステップと、 (c)光リソグラフィ・プロセスを行わずに、マスキング・パターンをもつナノマスク層を前記ハードマスク層の上面に形成するステップと、 (d)前記マスキング・パターンを前記ハードマスク層にエッチングして、パターン化されたハードマスク層の上面から前記基板の上面まで延びる開口部を、該開口部又は該開口部間の隔たり、若しくは該開口部と該開口部間の隔たりとの両方がパターン化されたハードマスク層の上面に平行に延びる少なくとも1つの空間的広がり(spatial extent)を個別に有する形態で、パターン化されたハードマスク層を形成するステップと、 (e)前記ナノマスク層を除去した後に、前記パターン化されたハードマスク層の開口部を埋める単結晶IV族半導体層を、前記パターン化されたハードマスク層の上面に形成するステップと、 を含む方法。
IPC (10件)：
H01L 21/20 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/762 ,  H01L 21/76 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49
FI (16件)：
H01L21/20 ,  H01L27/12 Z ,  H01L27/12 E ,  H01L21/76 D ,  H01L21/76 E ,  H01L29/78 301X ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 627G ,  H01L29/78 627A ,  H01L29/78 627C ,  H01L29/78 617J ,  H01L29/78 626B ,  H01L29/58 G ,  H01L29/78 301Y
Fターム (90件)：
4M104CC05 ,  4M104DD03 ,  4M104DD75 ,  5F032AA01 ,  5F032AA07 ,  5F032AA35 ,  5F032AA82 ,  5F032DA12 ,  5F032DA13 ,  5F032DA23 ,  5F032DA25 ,  5F032DA33 ,  5F032DA53 ,  5F032DA60 ,  5F032DA74 ,  5F032DA78 ,  5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA15 ,  5F110AA23 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD21 ,  5F110DD24 ,  5F110EE31 ,  5F110EE42 ,  5F110EE48 ,  5F110EE50 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG42 ,  5F110GG58 ,  5F110GG60 ,  5F110HJ13 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN33 ,  5F110NN40 ,  5F110NN65 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP29 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ19 ,  5F140AA34 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA03 ,  5F140BA05 ,  5F140BA17 ,  5F140BC15 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BG01 ,  5F140BG02 ,  5F140BG03 ,  5F140BG04 ,  5F140BG05 ,  5F140BG08 ,  5F140BG36 ,  5F140BG40 ,  5F140BH34 ,  5F140BH39 ,  5F140BH45 ,  5F140BK05 ,  5F140BK13 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CE07 ,  5F152LL01 ,  5F152LL18 ,  5F152LM04 ,  5F152LM09 ,  5F152MM04 ,  5F152MM19 ,  5F152NN03 ,  5F152NN15 ,  5F152NQ03 ,  5F152NQ04
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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