特許

J-GLOBAL ID：200903033566982626

半導体装置及びその製造方法

発明者： 井納 和美 ,  石内 秀美 ,  松田 聡 ,  佐藤 力 ,  水島 一郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (7件)： 鈴江 武彦 ,  村松 貞男 ,  坪井 淳 ,  橋本 良郎 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  河井 将次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-273409
公開番号（公開出願番号）：特開2004-111721
出願日： 2002年09月19日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：

【課題】微細化可能なSON構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】半導体基板10と、前記半導体基板10内に形成された平板状の空洞11と、前記半導体基板10の表面内に、前記空洞11の面内方向における端部に接するようにして形成された素子分離領域12とを具備することを特徴としている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板と、 前記半導体基板内に形成された平板状の空洞と、 前記半導体基板の表面内に、前記空洞の面内方向における端部に接するようにして形成された素子分離領域と を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L21/762 ,  H01L21/76 ,  H01L21/764 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

FI (7件)：

H01L21/76 D ,  H01L27/12 F ,  H01L27/12 L ,  H01L27/12 Z ,  H01L21/76 L ,  H01L29/78 621 ,  H01L21/76 A

Fターム (21件)：

5F032AA01 ,  5F032AA13 ,  5F032AA34 ,  5F032AA44 ,  5F032AC02 ,  5F032CA03 ,  5F032CA14 ,  5F032CA17 ,  5F032DA02 ,  5F032DA25 ,  5F032DA74 ,  5F110AA04 ,  5F110BB03 ,  5F110BB06 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD11 ,  5F110EE31 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110NN66

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-113653   出願人：株式会社東芝
• 熱型赤外線センサおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-095812   出願人：株式会社東芝
• 半導体基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-252881   出願人：株式会社東芝
• 半導体基板の製造方法、半導体装置の製造方法、および半導体基板、半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-133090   出願人：日本電気株式会社

審査官引用 (4件)

• 半導体基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-252881   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-113653   出願人：株式会社東芝
• 半導体基板の製造方法、半導体装置の製造方法、および半導体基板、半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-133090   出願人：日本電気株式会社
• 熱型赤外線センサおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-095812   出願人：株式会社東芝