特許

J-GLOBAL ID：200903039884215500

半導体スピンフィルター

発明者： 古賀 貴亮 ,  新田 淳作 ,  赤崎 達志 ,  高柳 英明
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 高山 道夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-149376
公開番号（公開出願番号）：特開2002-343958
出願日： 2001年05月18日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：

【要約】【課題】 この発明は、材料の磁気的性質を用いることを不要にすると共に、高いスピン偏極率を得ることができる半導体スピンフィルターを提供する。【解決手段】 In0.53Ga0.47As井戸層3、5による二つの量子井戸を、In0.52Al0.48As障壁層6、2およびInP障壁層4による三つの障壁で隔て、二つの量子井戸間でスピン-軌道相互作用の向きが反対方向になる三重障壁構造を形成する。

請求項（抜粋）：

二つの量子井戸を三つの障壁で隔て、二つの量子井戸間でスピン-軌道相互作用の向きが反対方向になる三重障壁構造を形成することを特徴とする半導体スピンフィルター。

IPC (3件)：

H01L 29/66 ,  H01L 29/06 601 ,  H01L 29/205

FI (3件)：

H01L 29/66 Z ,  H01L 29/06 601 W ,  H01L 29/205

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 磁気抵抗デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-120249   出願人：三洋電機株式会社
• 磁性素子、記憶装置、磁気再生ヘッド、及び磁気ディスク装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-138898   出願人：株式会社東芝
• 半導体感磁性素子及びそれを用いた磁気ヘッド装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-017268   出願人：富士通株式会社
• 磁気抵抗効果素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-242468   出願人：株式会社東芝

引用文献：

出願人引用 (1件)

• Spin-polarized electronic current in resonant tunneling heterostructures

審査官引用 (1件)

• Spin-polarized electronic current in resonant tunneling heterostructures