特許
J-GLOBAL ID：200903007749622504

半導体装置

発明者：
桑村 誠

桑村 誠 について

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水谷 昌紀

水谷 昌紀 について

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野呂 弘司

野呂 弘司 について

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伊藤 達志

伊藤 達志 について


出願人/特許権者：
日東電工株式会社

日東電工株式会社 について


代理人 (1件)： 西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-117431
公開番号（公開出願番号）：特開平11-017075
出願日： 1998年04月27日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：
【要約】【課題】半導体素子と配線回路基板および接続用電極に生ずる応力の緩和効果に優れ高信頼性を有する半導体装置を提供する。【解決手段】複数の接続用電極部2が設けられた配線回路基板1面に、上記接続用電極部2に対応する接続用電極部3が設けられた半導体素子5が、上記配線回路基板1面に設けられた接続用電極部2と半導体素子5面に設けられた接続用電極部3とが当接状態で搭載され、上記配線回路基板1と半導体素子5との間の空隙が封止樹脂層4によって封止された半導体装置である。しかも、上記封止樹脂層が、下記の硬化物特性(X)を備えている。(X)25°Cにおける引張弾性率が0.5〜500MPaである。
請求項（抜粋）：
複数の接続用電極部が設けられた配線回路基板面に、上記接続用電極部に対応する接続用電極部が設けられた半導体素子が、上記配線回路基板面に設けられた接続用電極部と半導体素子面に設けられた接続用電極部とが当接状態で搭載され、上記配線回路基板と半導体素子との間の空隙が封止樹脂層によって封止されてなる半導体装置であって、上記封止樹脂層が、下記の硬化物特性(X)を備えていることを特徴とする半導体装置。(X)25°Cにおける引張弾性率が0.5〜500MPaである。
IPC (7件)：
H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08L 33/20 ,  C08L 63/00 ,  C08L 65/00 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/28
FI (6件)：
H01L 23/30 R ,  C08L 33/20 ,  C08L 63/00 A ,  C08L 65/00 ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 23/28 Z
引用特許：
出願人引用 (14件)
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審査官引用 (13件)
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