半導体装置の製造方法及びスパッタ装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：稲垣清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-248351
公開番号（公開出願番号）：特開平11-195620
出願日： 1998年09月02日
公開日（公表日）： 1999年07月21日
要約：

【要約】【課題】高融点金属シリサイド層を形成する半導体装置の製造方法において、スパッタ装置によるゲート耐圧の劣化が生じない条件で高融点金属をスパッタする半導体装置の製造方法及びそのためのスパッタ装置を提供する。【解決手段】本方法では、半導体素子のゲート電極が形成されたシリコン基板の全面に高融点金属を堆積して高融点金属膜を形成後、熱処理して高融点金属膜との界面に高融点金属シリサイド層を形成する際、ゲート電極に到達する電荷量Qが5C/cm2 以下となる条件で、高融点金属膜をマグネトロンスパッタ装置によりスパッタ堆積する。また、スパッタ装置30は、ターゲットホルダ16と、ウェハーホルダ14との間に、ターゲットからウェハーに向けて貫通した多数の貫通孔を有する導電体からなるコリメート板32を接地した状態で有する。

請求項（抜粋）：

半導体素子のゲート電極が形成されたシリコン基板の全面に高融点金属を堆積して高融点金属膜を形成後、熱処理して前記高融点金属膜との界面に高融点金属シリサイド層を形成する半導体装置の製造方法において、前記ゲート電極に到達する電荷量Qが5C/cm2 以下となる条件で、前記高融点金属膜をマグネトロンスパッタ装置によりスパッタ堆積することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 21/285 , H01L 21/285 301 , C23C 14/34 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/285 S , H01L 21/285 301 R , C23C 14/34 R , H01L 27/08 321 F , H01L 29/78 301 Y

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平3-170668
スパッタリング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-136406 出願人：東京エレクトロン株式会社
スパツタ成膜方法及びスパツタ成膜装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-321369 出願人：新日本製鐵株式会社

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