特許
J-GLOBAL ID：200903039930597324
半導体層の製膜方法および光電変換装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-061718
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261031
出願日： 2001年03月06日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：
【要約】【課題】 複数の電極対を備えたプラズマCVD装置を用い13.56MHzより高い周波数の高周波電力を供給する場合に、複数の基板上における半導体層の製膜速度を均一にできる方法を提供する。【解決手段】 1つの製膜室(1)内に設けられた複数のカソード(2a、2b)と各カソードに接続された13.56MHzより高い周波数の高周波電力を供給する複数の高周波電源(4a、4b)とを有するプラズマCVD装置を用い、各カソードに対して基板(10a、10b)を保持したアノード(3a、3b)をそれぞれ対向させ、製膜室内で原料ガスを分解して複数の基板上に半導体層を製膜するにあたり、複数の基板上における半導体層の製膜速度の差が10%以内になるように、各高周波電源から各カソードに供給される高周波電力の位相をずらす。
請求項（抜粋）：
1つの製膜室内に設けられた略同一形状を有し略対称位置に配置された複数のカソードと各カソードに接続された13.56MHzより高い周波数の高周波電力を供給する複数の高周波電源とを有するプラズマCVD装置を用い、各カソードに対して基板を保持したアノードをそれぞれ対向させ、前記製膜室内で原料ガスを分解して複数の基板上に半導体層を製膜するにあたり、複数の基板上において所望の製膜速度で半導体層が製膜されるように、各高周波電源から各カソードに供給される高周波電力に、0度または180度の位相差からはずした位相差を与えることを特徴とする半導体層の製膜方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (15件)：
4K030BA29
, 4K030BB03
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030JA12
, 4K030JA18
, 4K030JA19
, 4K030KA41
, 4K030LA16
, 5F045AB03
, 5F045BB03
, 5F045CA13
, 5F045DP11
, 5F045EH14
, 5F045EH20
