特許

J-GLOBAL ID：200903039943925339

III族窒化物基板の製造方法および半導体装置

発明者： 北岡 康夫 ,  峯本 尚 ,  木戸口 勲 ,  石橋 明彦 ,  佐々木 孝友 ,  森 勇介 ,  川村 史朗
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社 ,  森 勇介
代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-075103
公開番号（公開出願番号）：特開2005-012171
出願日： 2004年03月16日
公開日（公表日）： 2005年01月13日
要約：

【課題】 転位密度が小さいIII族窒化物基板を製造することが可能な製造方法およびそれを用いて製造される半導体装置を提供する。 【解決手段】 窒素を含む雰囲気下において、III族元素と前記窒素とをアルカリ金属融液中で反応させてIII族窒化物結晶を生成させ成長させるIII族窒化物基板の製造方法であって、予め準備されたIII族窒化物半導体層の複数の部分を、III族窒化物結晶の生成および成長の少なくとも1つのための種結晶として選択し、前記融液に前記種結晶の表面を接触させる製造方法である。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

窒素を含む雰囲気下において、III族元素と前記窒素とをアルカリ金属融液中で反応させてIII族窒化物結晶を生成させ成長させるIII族窒化物基板の製造方法であって、予め準備されたIII族窒化物半導体層の複数の部分を、III族窒化物結晶の生成および成長の少なくとも1つのための種結晶として選択し、前記融液に前記種結晶の表面を接触させる製造方法。

IPC (3件)：

H01L21/208 ,  C30B11/06 ,  C30B29/38

FI (3件)：

H01L21/208 D ,  C30B11/06 ,  C30B29/38 D

Fターム (25件)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077CG02 ,  4G077EA06 ,  4G077ED06 ,  4G077EE07 ,  4G077EF03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077QA04 ,  4G077QA11 ,  4G077QA34 ,  4G077QA71 ,  4G077QA74 ,  5F053AA03 ,  5F053BB52 ,  5F053BB53 ,  5F053GG01 ,  5F053GG05 ,  5F053HH04 ,  5F053LL02 ,  5F053LL03 ,  5F053PP07

引用特許：

出願人引用 (1件)

• GaN単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-097551   出願人：科学技術振興事業団

審査官引用 (1件)

• III族窒化物基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-425632   出願人：松下電器産業株式会社