特許
J-GLOBAL ID：200903045251059763
III族窒化物基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-425632
公開番号（公開出願番号）：特開2004-247711
出願日： 2003年12月22日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：
【課題】 良質なIII族窒化物結晶のみからなり反りが小さい基板を製造できる製造方法を提供する。 【解決手段】 基板(サファイア基板11)の上に、空隙を備えるIII族窒化物層(シード層12および選択成長層15)を形成し、窒素を含む雰囲気において、ガリウム、アルミニウムおよびインジウムから選ばれる少なくとも一つのIII族元素とアルカリ金属とを含む融解液に上記III族窒化物層の表面を接触させることによって、上記少なくとも1つのIII族元素と窒素とを反応させて上記III族窒化物層上にIII族窒化物結晶(GaN結晶16)を成長させ、上記基板を含む部分と上記III族窒化物結晶を含む部分とを、上記空隙の近傍において分離する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
(i)基板上に、空隙を備えるIII族窒化物層を形成する工程と、
(ii)窒素を含む雰囲気下において、ガリウム、アルミニウムおよびインジウムから選ばれる少なくとも1つのIII族元素とアルカリ金属とを含む融液に前記III族窒化物層の表面を接触させることによって、前記少なくとも1つのIII族元素と窒素とを反応させて前記III族窒化物層上にIII族窒化物結晶を成長させる工程と、
(iii)前記基板を含む部分と前記III族窒化物結晶を含む部分とを、前記空隙の近傍において分離する工程とを含むIII族窒化物基板の製造方法。
IPC (4件)：
H01L21/208
, H01L21/20
, H01L33/00
, H01S5/323
H01L21/208 D
, H01L21/20
, H01L33/00 C
, H01S5/323 610
5F041CA05
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA63
, 5F041CA65
, 5F041CA67
, 5F041CA74
, 5F041CA75
, 5F041CA77
, 5F052DA04
, 5F052KA01
, 5F052KA05
, 5F053AA03
, 5F053DD20
, 5F053FF01
, 5F053GG01
, 5F053HH04
, 5F053LL02
, 5F053LL03
, 5F053PP12
, 5F053RR20
, 5F073AA74
, 5F073CA07
, 5F073CB02
, 5F073DA02
, 5F073DA05
, 5F073DA07
, 5F073DA35
