特許

J-GLOBAL ID：200903039949729248

高分子光導波路の製造方法

発明者： 阪田 知巳 ,  丸野 透 ,  佐々木 重邦 ,  石井 哲好 ,  玉村 敏昭
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 中本 宏 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-085977
公開番号（公開出願番号）：特開平9-251114
出願日： 1996年03月15日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：

【要約】【課題】 電子線描画法を用いて高分子光導波路を製造する際に、加速電圧を変更することなしにコア厚を精密に制御できる光導波路製造方法を提供する。【解決手段】 光導波路のコア部を高分子化合物層に電子線で直接描画する高分子光導波路の製造方法において、被描画高分子化合物層の表面にレジスト層を作製し、このレジスト層の厚さを調節することでコアの深さ方向の寸法を制御する高分子光導波路の製造方法。マスクを介して高分子化合物層に電子線を照射して光導波路のコア部を作製する高分子光導波路の製造方法において、被描画高分子化合物層の表面にレジスト層を作製し、このレジスト層の厚さを調節することでコアの深さ方向の寸法を制御する高分子光導波路の製造方法。高分子化合物の例には、フッ素を含有するポリイミドがある。

請求項（抜粋）：

光導波路のコア部を高分子化合物層に電子線で直接描画する高分子光導波路の製造方法において、被描画高分子化合物層の表面にレジスト層を作製し、このレジスト層の厚さを調節することでコアの深さ方向の寸法を制御することを特徴とする高分子光導波路の製造方法。

IPC (3件)：

G02B 6/13 ,  C08G 73/10 NTF ,  G02B 6/12

FI (3件)：

G02B 6/12 M ,  C08G 73/10 NTF ,  G02B 6/12 N

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭52-099785
  
• ポリイミド光導波路製造装置及びポリイミド光導波路の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-014093   出願人：日本電信電話株式会社
• 高分子光導波路及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-071282   出願人：日本電信電話株式会社