特許
J-GLOBAL ID：200903039955578880

キャパシタ及びその製造方法

発明者：
金 正 周

金 正 周 について


出願人/特許権者：
亜南半導体株式会社

亜南半導体株式会社 について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-000748
公開番号（公開出願番号）：特開2004-140310
出願日： 2003年01月07日
公開日（公表日）： 2004年05月13日
要約：
【課題】本発明は、単純化されたキャパシタ及びIMD(inter-metal dielectric)層の平坦化やビア食刻工程を単純化したキャパシタの製造方法を提供する。【解決手段】半導体素子内のキャパシタはキャパシタの領域のアルミニウム層の上部に窒素を含有したプラズマを用いて絶縁層として働く窒化アルミニウム層を形成する簡単な工程で製作することができる。本発明によれば、従来の厚く形成された絶縁膜によって発生するキャパシタの領域とそれ以外の領域との間のIMD層の段差を減らすことができ、ビア食刻の困難を防止することができる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
半導体素子内のキャパシタを製造する方法であって、(a)基板の上部にキャパシタの一電極として供給されるアルミニウム層を蒸着する段階と、 (b)キャパシタ誘電体として供給される窒化アルミニウム層を形成するために、前記アルミニウム層を窒素プラズマで処理する段階と、 (c)前記窒化アルミニウム層をパターニングする段階と、 (d)前記パターニングされた窒化アルミニウム層の上部に前記キャパシタの他の電極として供給されるTiN層を形成する段階と、 (e)キャパシタを形成するために、前記アルミニウム層、前記窒化アルミニウム層及び前記TiN層をパターニングする段階とを含むことを特徴とする半導体素子内のキャパシタの製造方法。
IPC (5件)：
H01L21/822 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/04 ,  H01L27/108
FI (4件)：
H01L27/04 C ,  H01L21/88 N ,  H01L27/10 621Z ,  H01L27/10 651
Fターム (40件)：
5F033HH08 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK08 ,  5F033KK33 ,  5F033MM15 ,  5F033NN38 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ03 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ76 ,  5F033QQ82 ,  5F033QQ90 ,  5F033RR05 ,  5F033SS08 ,  5F033SS26 ,  5F033SS27 ,  5F033VV10 ,  5F033WW02 ,  5F033XX01 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038EZ11 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20 ,  5F083AD21 ,  5F083JA02 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083PR34
引用特許：
審査官引用 (5件)
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