特許
J-GLOBAL ID：200903009138192795

コンデンサ部を備えた半導体装置の製造方法

発明者：
金森 順

金森 順 について

, 
片倉 義明

片倉 義明 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-372407
公開番号（公開出願番号）：特開2002-064184
出願日： 2000年12月07日
公開日（公表日）： 2002年02月28日
要約：
【要約】【課題】 コンデンサ部の製造工程を減らし、コストの低減を図ると共に、高集積化を可能とし、金属配線残り(残さ)が生じにくいコンデンサ部を備えた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 上部電極13Aを形成した後に、下部電極11Aを形成するためのレジストパターンを形成し、絶縁膜層12、第1の金属層11をエッチング処理することにより、第1の金属層11に直接レジストパターンを形成しなくとも、1回のレジストパターン形成後、絶縁膜層12と、第1の金属層11とをエッチング処理することにより下部電極11A及び配線パターン11Bを同じに形成することができる。
請求項（抜粋）：
基板上に下部電極及び配線パターンとなり得る第1の金属層と、絶縁膜層と、上部電極となり得る第2の金属層とを順に積層し、前記第2の金属層をレジストパターンを用いてエッチング処理することにより上部電極を形成し、前記上部電極を覆う領域に下部電極及び配線パターンを形成するためのレジストパターンを形成し、該レジストパターンに従い、前記絶縁膜層及び前記第1の金属層をエッチング処理することを特徴とするコンデンサ部を備えた半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/3213
FI (2件)：
H01L 27/04 C ,  H01L 21/88 C
Fターム (25件)：
5F033JJ19 ,  5F033KK09 ,  5F033KK18 ,  5F033KK33 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033NN34 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033SS15 ,  5F033VV10 ,  5F033XX21 ,  5F033XX31 ,  5F033XX33 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20
引用特許：
審査官引用 (6件)
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