特許
J-GLOBAL ID：200903040133385913

アクティブマトリクス基板およびその製造方法、並びに液晶表示装置

発明者：
阿部 裕幸

阿部 裕幸 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-076242
公開番号（公開出願番号）：特開平10-268341
出願日： 1997年03月27日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】【課題】 TFTと保持容量のレイアウトを改善することによって、各領域毎に最適な条件でエネルギー光を照射し、移動度が高いTFTと耐電圧の高い保持容量を形成することのできるアクティブマトリクス基板、それを用いた液晶表示装置、およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 アクティブマトリクス基板の各画素領域5においてTFT10の形成領域TAと保持容量50の形成領域CAとをX方向にずらしてあるので、TFT10を形成するためのシリコン膜30については強いレーザ光を照射してその結晶性を最大限にまで高める。これに対して、保持容量50の第1の電極層51を形成するためのシリコン膜30についてはそれより弱いレーザ光を照射し、シリコン膜30結晶性をやや抑え気味にして表面が粗れるのを防止する。
請求項（抜粋）：
X方向に延設された複数の走査線、および該走査線に対して直交するY方向に延設された複数のデータ線によって区画された各画素領域に、該データ線および前記走査線に接続する薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続する画素電極と、前記薄膜トランジスタのソース・ドレイン領域と同一の層間に形成された半導体領域を第1の電極層とし、前記走査線と同一の層間に形成された電極層を第2の電極層とする保持容量とを有するアクティブマトリクス基板において、前記薄膜トランジスタの形成領域と前記保持容量の形成領域とはX方向にずれていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
IPC (3件)：
G02F 1/136 500 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (2件)：
G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 612 Z
引用特許：
審査官引用 (4件)
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