特許
J-GLOBAL ID:200903081998329740
液晶表示素子およびその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
原 謙三
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-253883
公開番号(公開出願番号):特開平8-122813
出願日: 1994年10月19日
公開日(公表日): 1996年05月17日
要約:
【要約】【構成】 液晶表示素子は、付加容量9が、非単結晶シリコンからなる付加容量電極16と、導電体からなる付加容量電極17との間に、該非単結晶シリコンの酸化膜からなる絶縁膜24と、画素TFT7のゲート絶縁膜25と同一の材料からなる絶縁膜とを有してなっている。つまり、付加容量9は、画素TFT7と比較して、その絶縁膜が分厚く形成されている。【効果】 付加容量は、ゲート絶縁膜がより薄く形成されて例えばピンホール等が発生し易くなった場合においても、上記ピンホールに由来する欠陥が発生し難くなっている。これにより、画素TFTの高性能化を図ることができ、かつ、付加容量の信頼性を維持することができる液晶表示素子、即ち、画素TFTの性能、および、付加容量の耐圧性等の信頼性が向上された液晶表示素子をより安価に提供することができる。
請求項(抜粋):
薄膜トランジスタおよび蓄積容量を有し、アクティブマトリクス駆動方式で駆動される液晶表示素子において、上記蓄積容量が、非単結晶シリコンからなる第一電極と、第二電極との間に、該非単結晶シリコンの酸化膜からなる第一絶縁膜と、上記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜と同一の第二絶縁膜とを有してなることを特徴とする液晶表示素子。
引用特許:
審査官引用 (12件)
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液晶表示装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-215502
出願人:ソニー株式会社
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薄膜トランジスタの製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-039182
出願人:セイコーエプソン株式会社
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特開昭60-015681
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