半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-057951
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256310
出願日： 1997年03月12日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】配線基板に金属ろうの突起電極からなる接続端子で半導体素子を搭載した半導体装置において、半導体素子を接続する際に、金属ろう酸化物除去剤のフラックスの使用を不要とする。【解決手段】半導体素子1と配線基板2は接続端子3で接続されており、接続端子3を配線基板2から5μm以上窪んで形成させる。又、接続時に半導体素子を上下する等して金属ろうの新生面で接続する。

請求項（抜粋）：

配線基板に半導体素子が搭載され、少なくとも該半導体素子の搭載面に該配線基板との接続端子を有し、該接続端子は金属ろうからなる半導体装置であって、該接続端子は該配線基板に設けた凹部に配置されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 , H01L 23/12

FI (3件)：

H01L 21/60 311 S , H01L 23/12 L , H01L 23/12 F

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平4-199524
特開平3-268440
特開平2-232946

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