特許
J-GLOBAL ID：200903040213934896

低熱膨張セラミックス

発明者：
岩島 みのり

岩島 みのり について

, 
尾形 知彦

尾形 知彦 について


出願人/特許権者：
東レ株式会社

東レ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-126307
公開番号（公開出願番号）：特開2002-321967
出願日： 2001年04月24日
公開日（公表日）： 2002年11月08日
要約：
【要約】【課題】本発明は、緻密性、高剛性、低熱膨張性、及び導電性を同時に満足する半導体製造用部品に好適な優れたセラミックス素材を提供せんとするものである。【解決手段】気孔率が7%以下であって、該気孔が独立気孔で、その平均気孔径が5μm以下であり、かつ、該セラミックスの比剛性(ヤング率(GPa)/密度(g/cm<SP>3 </SP>))が30以上で、JIS R1618に基づいて測定される熱膨張係数が3×10<HAN>ー<SP></HAN>7</SP>/K以下で、さらにJIS C2141による体積固有抵抗値が10<SP></SP><SP>5</SP>〜10<SP>9</SP>Ω・cmであるセラミックス。
請求項（抜粋）：
平均径が5μm以下の独立した気孔を有するセラミックスであって、(1)該気孔の気孔率が7%以下であり、(2)比剛性(ヤング率(GPa)/密度(g/cm3 ))が30以上であり、(3)JIS R1618による熱膨張係数が3×10-7/K以下であり、(4)JIS C2141による体積固有抵抗値が105〜109Ω・cmである低熱膨張セラミックス。
IPC (3件)：
C04B 35/00 ,  C04B 35/447 ,  C04B 35/46
FI (3件)：
C04B 35/46 B ,  C04B 35/00 H ,  C04B 35/00 S
Fターム (33件)：
4G030AA16 ,  4G030AA17 ,  4G030AA21 ,  4G030AA27 ,  4G030AA36 ,  4G030AA39 ,  4G030AA41 ,  4G030AA45 ,  4G030AA47 ,  4G030AA49 ,  4G030AA51 ,  4G030AA52 ,  4G030AA54 ,  4G030AA60 ,  4G030BA01 ,  4G030BA02 ,  4G030BA20 ,  4G030BA24 ,  4G030HA16 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA21 ,  4G031AA29 ,  4G031AA31 ,  4G031AA33 ,  4G031AA36 ,  4G031AA37 ,  4G031AA38 ,  4G031AA40 ,  4G031BA01 ,  4G031BA02 ,  4G031BA20 ,  4G031BA24
引用特許：
審査官引用 (3件)

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