特許
J-GLOBAL ID：200903040220080967
電子素子およびこの電子素子を用いた記録方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
机 昌彦
, 工藤 雅司
, 谷澤 靖久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-340323
公開番号（公開出願番号）：特開2006-093736
出願日： 2005年11月25日
公開日（公表日）： 2006年04月06日
要約：
【課題】大記憶容量と読み書き速度とを有し、製造コストが安く、半導体メモリ並みにコンパクトである電子素子を得る。【解決手段】電流を印加した時にエレクトトマイグレーションによって少なくとも形状あるいは組成が変化する記憶コア101を有する電子素子であって、電流印加のための2つの電極102,103と表面電位あるいは電気抵抗あるいは接合抵抗の変化を感知する電極104を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
電流を印加した時にエレクトロマイグレーションによって少なくとも形状あるいは組成が変化する記憶コアを有する電子素子において、電流印加のための2つの電極と表面電位あるいは電気抵抗あるいは接合抵抗の変化を感知する電極を有することを特徴とする電子素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (10件)：
5F083FZ10
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA39
, 5F083JA60
, 5F083KA01
, 5F083KA05
, 5F083LA03
, 5F083LA12
, 5F083LA16
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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