マルチチャンバー装置及び半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-109079
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297194
出願日： 1994年04月25日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：

【要約】【目的】生産性を低下させることなく高融点金属材料の成膜及びリフロー処理を確実に行うことを可能にするマルチチャンバ-装置及びかかる装置を用いた半導体装置の製造方法を提供する。【構成】マルチチャンバ-装置は、(イ)減圧下において基体上に金属膜を成膜する成膜装置10,11と、(ロ)複数枚の基体に成膜された金属膜を1.3×10-6Pa以下の真空雰囲気中で同時にリフローさせるリフロー装置20と、(ハ)成膜装置とリフロー装置とを結ぶ1.3×10-6Pa以下の真空雰囲気にされた搬送路30から成る。半導体装置の製造方法は、(イ)成膜装置内で絶縁層上に金属膜を減圧下で成膜する工程と、(ロ)1.3×10-6Pa以下の真空雰囲気下で、成膜装置からリフロー装置に半導体基板を搬送した後、1.3×10-6Pa以下の真空雰囲気中で複数枚の半導体基板を同時に加熱し、絶縁層上の金属膜をリフローさせる工程、から成る。

請求項（抜粋）：

(イ)減圧下において基体上に金属膜を成膜する成膜装置と、(ロ)複数枚の基体に成膜された金属膜を1.3×10-6Pa以下の真空雰囲気中で同時にリフローさせるリフロー装置と、(ハ)該成膜装置とリフロー装置とを結ぶ1.3×10-6Pa以下の真空雰囲気にされた搬送路、から成ることを特徴とするマルチチャンバー装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/205 , H01L 21/285 301

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-225223
積層配線形成用スパッタ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-012873 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-258251 出願人：富士通株式会社

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