半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：菅野中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-164467
公開番号（公開出願番号）：特開平11-017005
出願日： 1997年06月20日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：

【要約】【課題】エアギャップを含む絶縁膜を有する半導体装置における配線及びビアの信頼性を向上させる。【解決手段】第1の配線2の表面が絶縁膜3で被覆することにより、後工程でエアギャップ5を含む第2の絶縁膜4を形成する際に粗悪な絶縁膜が形成されたとしても、絶縁膜3により十分な絶縁性を確保する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に配線を有する半導体装置であって、配線の表面上に第1の絶縁膜を形成し、前記第1の絶縁膜で被覆された前記配線間にエアギャップを含む第2の絶縁膜を形成したものであることを特徴とする半導体装置。

FI (2件)：

H01L 21/90 N , H01L 21/90 P

引用特許：

審査官引用 (5件)

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