特許
J-GLOBAL ID：200903040232344676

不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法

発明者：
野本 和正

野本 和正 について

, 
小林 敏夫

小林 敏夫 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-079123
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280465
出願日： 2001年03月19日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：
【要約】【課題】半導体基板面内における半導体記憶素子のサイズの微細化を行っても、特性の劣化が少なく、かつ、単位記憶素子あたり2ビットの記録の動作が可能な不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】表面に段差を有する第1導電型半導体基板11と、段差の上部と底部に形成され、第1導電型半導体基板11の主面に垂直な方向で分離されソースあるいはドレインとなる第2導電型半導体領域12と、空間的に離散化された電荷蓄積手段を内部に含み、少なくとも段差の側面を被覆するように第1導電型半導体基板11上に形成されたゲート誘電体膜13と、ゲート誘電体膜13上に形成されたゲート電極14とを有する。
請求項（抜粋）：
表面に段差を有する第1導電型半導体と、前記段差の上部と底部に形成され、前記第1導電型半導体の主面に垂直な方向で分離されソースあるいはドレインとなる第2導電型半導体領域と、空間的に離散化された電荷蓄積手段を内部に含み、少なくとも前記段差の側面を被覆するように前記第1導電型半導体上に形成されたゲート誘電体膜と、前記ゲート誘電体膜上に形成されたゲート電極とを有する不揮発性半導体記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 21/8247 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (2件)：
H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371
Fターム (10件)：
5F083EP18 ,  5F083EP77 ,  5F083ER02 ,  5F083ER19 ,  5F083HA02 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F101BA45 ,  5F101BA54 ,  5F101BC11
引用特許：
審査官引用 (3件)

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