特許
J-GLOBAL ID：200903040243192525

III-V族化合物半導体発光素子およびその製造方法

発明者：
山本 健作

山本 健作 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-320986
公開番号（公開出願番号）：特開2006-135026
出願日： 2004年11月04日
公開日（公表日）： 2006年05月25日
要約：
【課題】 本発明は、チップ面積あたりの外部への光取り出し効率の高いIII-V族化合物半導体素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 III-V族化合物半導体を含む発光素子であって、第1の積層体10と第2の積層体20とを含み、第1の積層体10は、III-V族化合物半導体積層体11と、III-V族化合物半導体積層体11の一方の主面側に形成された反射層108と、第1の拡散抑制層109と、第1の金属層110とを含み、第2の積層体20は、半導体基板201と、第2の金属層205とを含み、第1の積層体10と第2積層体20とは、第1の金属層110と第2の金属層205とで接合されており、第1の拡散抑制層109により反射層108と第1の金属層110との間の原子の拡散を抑制することを特徴とするIII-V族化合物半導体発光素子。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
III-V族化合物半導体を含む発光素子であって、 第1の積層体と第2の積層体とを含み、 前記第1の積層体は、n型半導体層、活性層、およびp型半導体層が順に積層されたIII-V族化合物半導体積層体を含み、前記III-V族化合物半導体積層体の一方の主面側に形成された反射層と、第1の拡散抑制層と、第1の金属層とを含み、 前記第2の積層体は、半導体基板と、第2の金属層とを含み、 前記第1の積層体と前記第2積層体とは、前記第1の金属層と前記第2の金属層とで接合されており、 前記第1の拡散抑制層により前記反射層と前記第1の金属層との間の原子の拡散を抑制することを特徴とするIII-V族化合物半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (2件)：
H01L33/00 E ,  H01L33/00 C
Fターム (9件)：
5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA77 ,  5F041CA86 ,  5F041CA87 ,  5F041CA92 ,  5F041CA98
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM