特許

J-GLOBAL ID：200903040250647678

電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者： 清水 三聡 ,  朴 冠錫 ,  矢野 良樹
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所 ,  大陽日酸株式会社
代理人 (1件)： 小越 勇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-267482
公開番号（公開出願番号）：特開2008-091394
出願日： 2006年09月29日
公開日（公表日）： 2008年04月17日
要約：

【課題】窒化物半導体からなるチャネル層とバリア層のヘテロ接合構造を有する電界効果トランジスタにおいて、しきい電圧の制御可能であり、ノーマリーオフ動作が可能な素子構造を提供する。【解決手段】窒化物半導体からなるチャネル層とバリア層のヘテロ接合構造を有する電界効果トランジスタにおいて、p型InGaN層が、ゲート領域のバリア層に積層された層構造を有することを特徴とするヘテロ接合構造を有する電界効果トランジスタ。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

窒化物半導体からなるバリア層とチャネル層のヘテロ接合構造を有する電界効果トランジスタにおいて、p型InGaN層が、ゲート領域のバリア層に積層された構造を有することを特徴とするヘテロ接合構造を有する電界効果トランジスタ。

IPC (6件)：

H01L 21/337 ,  H01L 29/808 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

FI (3件)：

H01L29/80 C ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/80 H

Fターム (34件)：

5F102FA08 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD05 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GR04 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC02 ,  5F102HC10 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15 ,  5F102HC19 ,  5F102HC22 ,  5F140AC36 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BB18 ,  5F140BC12 ,  5F140BC13 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BJ17 ,  5F140CC08 ,  5F140CE02

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 高移動度トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-057070   出願人：古河電気工業株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-196749   出願人：日本電気株式会社
• 電界効果型化合物半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-164908   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-157830   出願人：松下電器産業株式会社