特許
J-GLOBAL ID：200903040250647678

電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者：
清水 三聡

清水 三聡 について

, 
朴 冠錫

朴 冠錫 について

, 
矢野 良樹

矢野 良樹 について


出願人/特許権者：
独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について

, 
大陽日酸株式会社

大陽日酸株式会社 について


代理人 (1件)： 小越 勇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-267482
公開番号（公開出願番号）：特開2008-091394
出願日： 2006年09月29日
公開日（公表日）： 2008年04月17日
要約：
【課題】窒化物半導体からなるチャネル層とバリア層のヘテロ接合構造を有する電界効果トランジスタにおいて、しきい電圧の制御可能であり、ノーマリーオフ動作が可能な素子構造を提供する。【解決手段】窒化物半導体からなるチャネル層とバリア層のヘテロ接合構造を有する電界効果トランジスタにおいて、p型InGaN層が、ゲート領域のバリア層に積層された層構造を有することを特徴とするヘテロ接合構造を有する電界効果トランジスタ。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
窒化物半導体からなるバリア層とチャネル層のヘテロ接合構造を有する電界効果トランジスタにおいて、p型InGaN層が、ゲート領域のバリア層に積層された構造を有することを特徴とするヘテロ接合構造を有する電界効果トランジスタ。
IPC (6件)：
H01L 21/337 ,  H01L 29/808 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
FI (3件)：
H01L29/80 C ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/80 H
Fターム (34件)：
5F102FA08 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD05 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GR04 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC02 ,  5F102HC10 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15 ,  5F102HC19 ,  5F102HC22 ,  5F140AC36 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BB18 ,  5F140BC12 ,  5F140BC13 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BJ17 ,  5F140CC08 ,  5F140CE02
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM