半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-157830
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347316
出願日： 2002年05月30日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：

【要約】【課題】 GaN系半導体層との界面の特性が優れた保護絶縁膜を形成し、それにより、電気的特性が安定した、信頼性が高い半導体装置を実現する。【解決手段】予め基板11上に堆積されたGaN系半導体層の表面部が酸化されてなる保護絶縁膜12Bが、GaN系半導体層のうち酸化されなかった部分よりなる活性領域12Aの上に形成されている。保護絶縁膜12Bは、活性領域12Aにおけるゲート電極13と各オーミック電極14との間の部分を覆っている。

請求項（抜粋）：

基板上に形成されており、III 族窒化物半導体よりなる活性領域と、前記活性領域の上に形成された電極と、前記活性領域における前記電極の周辺部の上に形成されており、前記III 族窒化物半導体が酸化されてなる保護絶縁膜とを備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812

Fターム (15件)：

5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ03 , 5F102GJ10 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM08 , 5F102GV05 , 5F102HA20 , 5F102HC01 , 5F102HC10 , 5F102HC11 , 5F102HC16 , 5F102HC21

引用特許：

審査官引用 (10件)

窒化物系III-V族化合物半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-008201 出願人：シャープ株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-196749 出願人：日本電気株式会社
特開昭52-047377

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