特許

J-GLOBAL ID：200903040311825922

窒化物半導体発光素子

発明者： 朴 英 豪 ,  ▲曹▼ 孝 京 ,  柳 承 珍 ,  高 建 維
出願人/特許権者： 三星電機株式会社
代理人 (1件)： 三好 秀和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-148817
公開番号（公開出願番号）：特開2005-183910
出願日： 2004年05月19日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：

【課題】本発明は窒化物半導体発光素子に関するものであり、n側電極形成による活性領域の減少を最小化し、順方向電圧特性を改善することにより全体の発光効率を大幅に向上させる。【解決手段】 本発明は、第1領域と上記第1領域を囲繞する第2領域とに区分された上面を有するn型窒化物半導体層と、上記n型窒化物半導体層の第2領域上に順次形成された活性層とp型窒化物半導体層とで成る発光構造物と、上記p型窒化物半導体層上に形成されたp側電極と、上記n型窒化物半導体層の第1領域上に形成されたn側電極とを含む窒化物半導体発光素子を提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1領域と上記第1領域を囲繞する第2領域とに区分された上面を有するn型窒化物半導体層、上記n型窒化物半導体層の第2領域上に順次形成された活性層及びp型窒化物半導体層とで成る発光構造物と、 上記p型窒化物半導体層上に形成されたp側電極と、 上記n型窒化物半導体層の第1領域上に形成されたn側電極と、 を含む窒化物半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (2件)：

H01L33/00 C ,  H01L33/00 E

Fターム (11件)：

5F041AA04 ,  5F041AA14 ,  5F041AA31 ,  5F041CA40 ,  5F041CA88 ,  5F041CA91 ,  5F041CA93 ,  5F041CB36 ,  5F041DA08 ,  5F041DA09 ,  5F041FF11

引用特許：

審査官引用 (3件)

• III族窒化物系化合物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-101990   出願人：豊田合成株式会社
• LEDチップ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-124555   出願人：松下電工株式会社
• 改良された電流拡散構造を有するスケーラブルLED
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-542395   出願人：クリー・ライティング・カンパニー