半導体装置およびその製造方法ならびに半導体装置を用いた液晶駆動装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-302534
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148582
出願日： 1995年11月21日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：

【要約】【課題】半導体装置におけるドレイン-ソ-ス間の漏れ電流を抑制するとともに、大きな駆動電流を得ること。【解決手段】活性層4の厚さ方向における一方側に、活性層4と接する第1絶縁層3と、活性層4の厚さ方向における他方側に活性層4と接する第2絶縁層5と、第1絶縁層3を介して活性層4に所定の電圧を印加する第1ゲート電極G1と、第2絶縁層5を介して活性層4に所定の電圧を印加する第2ゲート電極G2とを備えている。

請求項（抜粋）：

非晶質シリコン膜または多結晶シリコン膜から成る活性層を備えた半導体装置であって、前記活性層の厚さ方向における一方側に、該活性層と接する第1絶縁層と、前記活性層の厚さ方向における他方側に、該活性層と接する第2絶縁層と、前記第1絶縁層を介して前記活性層に所定の電圧を印加する第1電極と、前記第2絶縁層を介して前記活性層に所定の電圧を印加する第2電極とを備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 616 A , H01L 29/78 617 N , H01L 29/78 617 U

引用特許：

審査官引用 (9件)

薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-301216 出願人：カシオ計算機株式会社
薄膜フォトトランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-048693 出願人：ティーディーケイ株式会社, 株式会社半導体エネルギー研究所
特開平3-250700

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