特許
J-GLOBAL ID：200903040351596330
セラミックス薄膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-097767
公開番号（公開出願番号）：特開平10-291887
出願日： 1997年04月15日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：
【要約】【課題】 ポストアニール方式により得られるセラミックス薄膜は、非晶質膜から結晶膜への移行過程で結晶核が膜中のいたるところ発生するため、ランダム配向の多結晶膜となってしまい、該セラミックス薄膜の物性が低下してしまうことが課題であった。【解決手段】 基板上の非晶質膜を結晶化させる際、基板側から結晶化温度に達する焼成方法とする。
請求項（抜粋）：
(1)基板上に非晶質状の前駆体膜を形成する工程と、(2)これを加熱焼成し、結晶化させる工程とからなるセラミックス薄膜の製造方法において、前記(2)工程の加熱時に、前記非晶質状前駆体膜の基板に接する面の温度が、膜表面の温度よりも高いことを特徴とするセラミックス薄膜の製造方法。
IPC (5件)：
C30B 1/02
, C30B 29/32
, H01L 37/02
, H01L 41/187
, H01L 41/24
C30B 1/02
, C30B 29/32 A
, C30B 29/32 D
, H01L 37/02
, H01L 41/18 101 D
, H01L 41/22 A
