特許
J-GLOBAL ID:200903040379095680
フォトダイオード、およびその製造方法、ならびに光通信デバイスおよび光インタコネクションモジュール
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
宮崎 昭夫
, 石橋 政幸
, 緒方 雅昭
公報種別:再公表公報
出願番号(国際出願番号):JP2007054545
公開番号(公開出願番号):WO2007-105593
出願日: 2007年03月08日
公開日(公表日): 2007年09月20日
要約:
フォトダイオードの受光感度と高速性を両立させる。 フォトダイオードは、半導体層1と、半導体層1の表面に互いに間隔dをおいて配置され、MSM接合を形成する一対の金属電極2と、を有している。間隔dは、入射光の波長をλとしたときに、λ>d>λ/100の関係を満たしている。一対の金属電極2は、表面プラズモンを誘起することが可能で、少なくとも一方が半導体1層とショットキー接合を形成し、半導体層1の屈折率をnとしたときに、下端部がλ/2nより小さい深さとなる位置まで半導体層1に埋め込まれている。
請求項(抜粋):
半導体層と、
前記半導体層の表面に互いに間隔dをおいて配置され、MSM接合を形成する一対の金属電極と、
を有し、
前記間隔dは、入射光の波長をλとしたときに、λ>d>λ/100の関係を満たし、
前記一対の金属電極は、表面プラズモンを誘起することが可能で、少なくとも一方が前記半導体層とショットキー接合を形成し、該半導体層の屈折率をnとしたときに、下端部がλ/2nより小さい深さとなる位置まで該半導体層に埋め込まれている、
フォトダイオード。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (7件):
5F049MA05
, 5F049MB03
, 5F049NA03
, 5F049NB01
, 5F049QA03
, 5F049SS03
, 5F049WA01
引用特許:
出願人引用 (7件)
-
特開昭59-108376号公報 (第4-16頁、図1-3)
-
特許第2666888号公報 (第3-4頁、図2)
-
特許第2705757号公報 (第6頁、図1)
全件表示
前のページに戻る