特許
J-GLOBAL ID:200903040409710392

異方熱伝導性高分子成形体

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 恩田 博宣 ,  恩田 誠
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-318970
公開番号(公開出願番号):特開2004-149723
出願日: 2002年10月31日
公開日(公表日): 2004年05月27日
要約:
【課題】一定方向に優れた熱伝導性を発揮することができる異方熱伝導性高分子成形体を提供する。【解決手段】異方熱伝導性高分子成形体は、液晶性高分子を含有する液晶性組成物から得られる。この異方熱伝導性高分子成形体おいて、液晶性高分子に由来する異方性磁化率Δχは、5×10-8〜1×10-6[emu/g]の範囲である。この異方性磁化率Δχは、異方熱伝導性高分子成形体の磁化測定から下記式(1)によって求められた値である。異方性磁化率Δχ=χmax-χmin・・・(1)(ただし、χmaxは最大磁化率、χminは最小磁化率を表す。)液晶性組成物には、液晶性高分子100重量部に対し、好ましくは100重量部未満の熱伝導性充填剤が含有される。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
液晶性高分子を含有する液晶性組成物から得られる異方熱伝導性高分子成形体であって、磁化測定から下記式(1)によって求められる前記液晶性高分子に由来する異方性磁化率Δχが、5×10-8〜1×10-6[emu/g]の範囲であることを特徴とする異方熱伝導性高分子成形体。 異方性磁化率Δχ=χmax-χmin・・・(1) (ただし、χmaxは最大磁化率、χminは最小磁化率を表す。)
IPC (5件):
C08J5/00 ,  C08K3/00 ,  C08L67/03 ,  C08L77/12 ,  C08L101/12
FI (5件):
C08J5/00 ,  C08K3/00 ,  C08L67/03 ,  C08L77/12 ,  C08L101/12
Fターム (41件):
4F071AA48 ,  4F071AA57 ,  4F071AA80 ,  4F071AB03 ,  4F071AB06 ,  4F071AB07 ,  4F071AB17 ,  4F071AB22 ,  4F071AE17 ,  4F071AE22 ,  4F071AF12 ,  4F071AF41 ,  4F071AF44 ,  4F071AH12 ,  4F071BA01 ,  4F071BB05 ,  4F071BB13 ,  4F071BC10 ,  4J002CF031 ,  4J002CF041 ,  4J002CF051 ,  4J002CF081 ,  4J002CF091 ,  4J002CF121 ,  4J002CF131 ,  4J002CF141 ,  4J002CF181 ,  4J002CF201 ,  4J002CL081 ,  4J002DA016 ,  4J002DA026 ,  4J002DA076 ,  4J002DE076 ,  4J002DE146 ,  4J002DF016 ,  4J002DK006 ,  4J002FA046 ,  4J002FA066 ,  4J002FA086 ,  4J002FD016 ,  4J002FD206
引用特許:
審査官引用 (8件)
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