特許

J-GLOBAL ID：200903040440645060

有機半導体薄膜の形成方法及び有機薄膜トランジスタ

発明者： 杉崎 礼子 ,  平井 桂
出願人/特許権者： コニカミノルタホールディングス株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-314239
公開番号（公開出願番号）：特開2007-123580
出願日： 2005年10月28日
公開日（公表日）： 2007年05月17日
要約：

【課題】有機半導体材料の塗布液と基板との濡れ性を改善し、性能の優れた有機半導体を形成すると共に、ウェットプロセスによって有機半導体膜を容易に形成しうる方法を提供する。【解決手段】有機半導体材料を含有する塗布液を基板へ供給して半導体薄膜を形成する方法であって、有機半導体材料を含む塗布液を基板に供給する際に、その前工程として有機溶媒を基板上へ供給する工程を含むことを特徴とする有機半導体薄膜の形成方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

有機半導体材料を含有する塗布液を基板へ供給して半導体薄膜を形成する方法であって、有機半導体材料を含む塗布液を基板に供給する際に、その前工程として有機溶媒を基板上へ供給する工程を含むことを特徴とする有機半導体薄膜の形成方法。

IPC (6件)：

H01L 21/368 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40

FI (7件)：

H01L21/368 L ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250G ,  H01L29/28 250H ,  H01L29/28 310J

Fターム (37件)：

5F053AA06 ,  5F053DD19 ,  5F053FF01 ,  5F053LL10 ,  5F053PP20 ,  5F110AA01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG57 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 国際公開第01/47043号パンフレット
  
• 半導体装置の製造方法、有機薄膜トランジスタの製造方法、電気光学装置の製造方法、電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-182148   出願人：セイコーエプソン株式会社

審査官引用 (2件)

• 成膜方法、光学素子、半導体素子および電子機器、電気光学装置の製造方法、カラーフィルターの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-056967   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 有機半導体材料および有機薄膜トランジスタ並びにその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-024878   出願人：株式会社リコー