特許
J-GLOBAL ID：200903040476150857

半導体基板の洗浄方法

発明者：
中村 彰信

中村 彰信 について

, 
長谷 潮

長谷 潮 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-124162
公開番号（公開出願番号）：特開2000-315670
出願日： 1999年04月30日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
要約：
【要約】【課題】 貴金属または貴金属酸化物を成膜した半導体基板に生じる金属汚染を効果的に除去する方法を提供すること。【解決手段】 所定のエッチング速度を有する第1の洗浄液によって洗浄することにより所望の部位以外に付着した貴金属又は貴金属酸化物を前記第1の洗浄液に分散させる工程と、第2の洗浄液によって、再付着した前記貴金属又は貴金属酸化物を除去する工程とにより半導体基板を洗浄する。この場合、貴金属又は貴金属酸化物を成膜する前に予め基板の少なくとも素子形成部以外の部位に酸化膜を形成しておく。第1の洗浄液は、例えばエッチング速度が毎分3nm以上のHF、あるいアルカリ性の液体を用いる。第2の洗浄液は、汚染再付着抑制効果の高い洗浄液を用いる。
請求項（抜粋）：
貴金属または貴金属酸化物を成膜した半導体基板の洗浄方法であって、前記半導体基板を第1の洗浄液によって洗浄することにより所望の部位以外に付着した前記貴金属又は貴金属酸化物を前記第1の洗浄液に分散させる工程と、第2の洗浄液によって、再付着した前記貴金属又は貴金属酸化物を除去する工程とを含むことを特徴とする半導体基板の洗浄方法。
IPC (4件)：
H01L 21/304 641 ,  H01L 21/304 647 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/308
FI (4件)：
H01L 21/304 641 ,  H01L 21/304 647 A ,  H01L 21/308 B ,  H01L 21/306 B
Fターム (11件)：
5F043AA21 ,  5F043AA22 ,  5F043AA31 ,  5F043BB27 ,  5F043BB28 ,  5F043DD19 ,  5F043DD27 ,  5F043DD30 ,  5F043EE05 ,  5F043GG04 ,  5F043GG10
引用特許：
審査官引用 (4件)
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