単結晶ダイヤモンド

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：浅村皓 , 浅村肇 , 池田幸弘 , 長沼暉夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-537433
公開番号（公開出願番号）：特表2006-508881
出願日： 2003年09月19日
公開日（公表日）： 2006年03月16日
要約：

実質的に表面欠陥がない基体の上に化学蒸着により成長したダイヤモンドから、化学蒸着によって、単結晶ダイヤモンドの大面積プレートを製造する方法。化学蒸着によりホモエピタキシャル成長した前記ダイヤモンド及び前記基体は、ダイヤモンド成長が起こった基体の表面を横切って切り離し、化学蒸着による単結晶ダイヤモンドの大面積プレートを製造する。

請求項（抜粋）：

単結晶ダイヤモンドプレートを製造する方法であって、実質的に表面欠陥のない表面を有するダイヤモンド基体を与える工程;化学蒸着(CVD)によって、前記表面上にホモエピタキシャルにダイヤモンドを成長させる工程;及び、化学蒸着によってホモエピタキシャル成長した前記ダイヤモンドと、単結晶のCVDダイヤモンドプレートを製造するために、ダイヤモンド成長が生じた前記基体の表面を横切る前記基体を切り離す工程と;を包含する、上記製造方法。

IPC (1件)：

C30B 29/04

FI (2件)：

C30B29/04 A , C30B29/04 V

Fターム (10件)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077AB01 , 4G077AB09 , 4G077BA03 , 4G077DB01 , 4G077FG11 , 4G077FG20 , 4G077HA20 , 4G077TA04

引用特許：

審査官引用 (6件)

低欠陥ダイヤモンド単結晶及びその合成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-312579 出願人：住友電気工業株式会社
特開平3-075298
単結晶ダイヤモンドの製造方法および製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-043325 出願人：住友電気工業株式会社

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