半導体装置製造設備及びこれの駆動方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-077712
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026552
出願日： 1998年03月25日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：

【要約】【課題】本発明は低真空状態で運用されるロードロックチャンバーと高真空状態で運用される前記ロードロックチャンバー及び工程チャンバーの間に位置するゲートバルブを備えた半導体装置製造設備及びこれの駆動方法に関するものである。【解決手段】本発明による半導体装置製造設備は、低真空ポンプに連結され低真空状態が形成されるロードロックチャンバー、高真空ポンプに連結され高真空状態が形成される工程チャンバー、前記ロードロックチャンバーと工程チャンバーの間に位置するゲートバルブ及び前記ゲートバルブ開放時に前記低真空状態のロードロックチャンバーと前記高真空状態の工程チャンバー間の圧力差を緩和する圧力調節手段を備えることを特徴とする。従って、ロードロックチャンバーと工程チャンバーの間に設置されたゲートバルブが開放される時、渦巻きの流れにより工程チャンバーの内部に蓄積された工程副産物が工程チャンバー内部に飛散する等により工程が進行するウェーハを汚染させる問題点を解決することができる。

請求項（抜粋）：

低真空ポンプが連結され低真空状態が形成されるロードロックチャンバーと、高真空ポンプが連結され高真空状態が形成される工程チャンバーと、前記ロードロックチャンバーと前記工程チャンバーの間に設置されるゲートバルブと、前記ゲートバルブ開放時に低真空状態の前記ロードロックチャンバーと高真空状態の前記工程チャンバーの間の圧力の差を緩和させる圧力調節手段と、を備えることを特徴とする半導体装置製造設備。

IPC (2件)：

H01L 21/68 , H01L 21/02

FI (2件)：

H01L 21/68 A , H01L 21/02 Z

引用特許：

審査官引用 (9件)

真空処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-217663 出願人：日本電気株式会社
特開平4-276074
特開平4-276074

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