特許
J-GLOBAL ID：200903007817822460

半導体処理方法

発明者：
楠本 直人

楠本 直人 について

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高山 徹

高山 徹 について

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米澤 雅人

米澤 雅人 について

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山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-345632
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162124
出願日： 1995年12月09日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：
【要約】【目的】 半導体膜に対してレーザー処理を施す際の処理工程に要する時間を短縮する。【構成】 ヘリウム雰囲気中に半導体膜を配置して加熱した後に、前記半導体膜の表面に対してレーザー光を照射する。ヘリウム雰囲気としては、ヘリウム、またはヘリウムと水素、またはヘリウムと酸素、またはヘリウム、水素、酸素の混合気体、またはこれらのプラズマ状態を用いる。ヘリウムは熱伝導率が高いため、ヘリウム雰囲気中での基板加熱は、空気等の他の気体の雰囲気より短時間で行うことができる。
請求項（抜粋）：
ヘリウム雰囲気中に半導体膜を配置して所定の温度に安定するまで加熱した後に、前記半導体膜の表面に対してレーザー光を照射することを特徴とする半導体処理方法。
IPC (5件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (4件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 27/12 R ,  H01L 29/78 627 G
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (8件)
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