特許

J-GLOBAL ID：200903040564181185

高表面品質GaNウェーハおよびその製造方法

発明者： シュエピン・シュ ,  ロバート・ピー・ボード
出願人/特許権者： アドバンスト テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド
代理人 (3件)： 河宮 治 ,  鮫島 睦 ,  玄番 佐奈恵
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-503865
公開番号（公開出願番号）：特表2004-530306
出願日： 2002年06月04日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：

ウェーハのGa側における10×10μm2面積内で1nm未満の根二乗平均表面粗さを特徴とする、AlxGayInzN(式中、0<y≦1およびx+y+z=1)を含む高品質ウェーハ。このようなウェーハは、例えばシリカまたはアルミナなどの研磨粒子と酸または塩基とを含む化学的機械研磨(CMP)スラリーを用いて、そのGa側にてCMPに付される。このような高品質AlxGayInzNウェーハの製造方法はラッピング工程、機械研磨工程、およびその表面品質を更に高めるための熱アニールまたは化学エッチングによるウェーハの内部応力を低下させる工程を含んでよい。このCMP方法はAlxGayInzNウェーハのGa側における結晶欠陥を強調するために有用に適用される。

請求項（抜粋）：

AlxGayInzN(式中、0<y≦1およびx+y+z=1)を含むウェーハであって、ウェーハのGa側における10×10μm2面積内で1nm未満の根二乗平均(RMS)表面粗さを特徴とする、ウェーハ。

IPC (3件)：

H01L21/304 ,  C30B25/18 ,  C30B29/38

FI (4件)：

H01L21/304 622D ,  H01L21/304 622W ,  C30B25/18 ,  C30B29/38 D

Fターム (11件)：

4G077AA03 ,  4G077BE47 ,  4G077DB01 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TB02 ,  4G077TC13 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04

引用特許：

審査官引用 (2件)

• III-V族窒化物基板ボウル、並びにIII-V族窒化物基板ボウル製造法及び使用法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-567830   出願人：アドバンスド.テクノロジー.マテリアルス.インコーポレイテッド
• エピタキシャル成長用基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-326561   出願人：日本碍子株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Final Polishing of Ga-Polar GaN Substrates using Reactive Ion Etching